结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点
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作者单位:

1.洛阳中硅高科技有限公司, 河南 洛阳 471000 ; 2.中国有色工程有限公司, 北京 100036

作者简介:

张鹏远(1983—),河南洛阳人,硕士,工程师。

通讯作者:

中图分类号:

TF843.5;TN304.1+2

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Manufacture process control of electronic grade polysilicon based on the polysilicon national standard
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    摘要:

    国内多晶硅生产线大部分是按照太阳能级标准设计建造的,产品质量与电子级多晶硅差距较大。本文通过分析电子级多晶硅国家标准,逐项分析施/受主杂质浓度、少子寿命、碳浓度、氧浓度、基体金属杂质、表面金属杂质、外在品质要求等参数,并将以上参数的影响原因归结到生产工艺的具体环节,探究生产电子级多晶硅的技术要点,达到指导技术研发和工艺改进的目的。

    Abstract:

    Most of the domestic polysilicon production lines are designed and built according to the solar level polysilicon standard which does not meet the requirement for electronic grade polysilicon production. This paper analyzes the electronic grade polysilicon national standard. The main standards of electronic grade polysilicon are the concentration of impurity, minority carrier lifetime, the concentration of carbon, the concentration of oxygen, the base metal impurity, the surface metal impurity and the external quality requirement. The problems in the electronic grade polysilicon production processes are identified based on the the analysis of the influence of the above parameters, which would give guidance to the production process improvement and technology research study of the manufacture of the electronic grade polysilicon.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

张鹏远,杜俊平.结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点[J].中国有色冶金,2021,50(2):59-63

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  • 收稿日期:2020-09-20
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  • 在线发布日期: 2025-12-24
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